[发明专利]双层微机电系统器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310148440.7 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103964376A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 朱家骅;李德浩;李久康;梁凯智;林宗贤;郑钧文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 微机 系统 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，所述SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层和第二硅层；对所述第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将所述第一结构层接合至一衬底；以及对所述第二硅层进行处理以形成所述MEMS器件的第二结构层。
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