[发明专利]双层微机电系统器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310148440.7 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103964376A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 朱家骅;李德浩;李久康;梁凯智;林宗贤;郑钧文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双层 微机 系统 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种方法，包括：
提供绝缘体上硅(SOI)衬底，所述SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层和第二硅层；
对所述第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；
将所述第一结构层接合至一衬底；以及
对所述第二硅层进行处理以形成所述MEMS器件的第二结构层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，处理所述第二硅层以形成所述MEMS器件的第二结构层包括：
减小所述第二硅层的厚度；以及
此后形成延伸贯穿所述第二硅层的导电结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，处理所述第二硅层以形成所述MEMS器件的第二结构层包括：
去除所述第二硅层以露出所述绝缘层；以及
此后在所述绝缘层上方形成导电结构。
4.一种方法，包括：
提供绝缘体上硅(SOI)衬底，所述SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层和第二硅层；
处理所述第一硅层以形成MEMS器件的背板；
将所述背板接合至一衬底；以及
处理所述第二硅层以形成所述MEMS器件的膜。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，处理所述第二硅层以形成所述MEMS器件的膜包括：
减小所述第二硅层的厚度；
此后形成延伸贯穿所述第二硅层的多晶硅结构。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，处理所述第二硅层以形成所述MEMS器件的膜包括：
去除所述第二硅层以露出所述绝缘层；以及
此后在所述绝缘层上方形成多晶硅结构。
7.一种方法，包括：
提供绝缘体上硅(SOI)衬底，所述SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；
处理所述第一硅层以形成MEMS器件的惯性质量件；
在处理所述第一硅层后，将所述惯性质量件接合至一衬底；以及
在接合所述惯性质量件后，处理所述第二硅层以形成所述MEMS器件的背板。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，处理所述第一硅层以形成所述惯性质量件包括：图案化所述第一硅层使得间隙延伸贯穿所述第一硅层。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，处理所述第二硅层以形成所述MEMS器件的背板包括：
减小所述第二硅层的厚度；以及
此后形成延伸贯穿所述第二硅层的多晶硅结构。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，处理所述第二硅层以形成所述MEMS器件的背板包括：
去除所述第二硅层以露出所述绝缘层；以及
此后在所述绝缘层上方形成多晶硅结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310148440.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种安装于电梯内的香水器
- 下一篇：新型膜套
