[发明专利]具有字级功率门控的存储器有效
| 申请号： | 201310148193.0 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103377691B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 杨家南;M·W·杰顿;T·W·里斯顿 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/26 | 分类号： | G06F1/26;G11C8/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据至少一个实施例，提供了字级存储器功率门控。根据至少一个实施例，一种通过添加额外控制位到存储器阵列的每个子阵列（例如，每一个字、每一行、每一字线、每一位线、阵列的每一部分等等）而实现的字级功率门控技术，为存储器阵列提供了细粒度的功率降低。根据至少一个实施例，给每个子阵列（例如，每一个字、每一行、每一字线、每一位线、阵列的每一部分等等）提供门控晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 功率 门控 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器阵列的功率门控方法，包括：响应于功率控制存储器单元被选择性地耦接到功率控制选择线，基于所述功率控制选择线的功率控制选择线状态，控制所述功率控制存储器单元的功率控制存储器单元状态；基于每个所述功率控制存储器单元的所述功率控制存储器单元状态门控至与之相对应的存储器阵列的子阵列的多个数据存储器单元的功率；响应于第二功率控制存储器单元被选择性地耦接于所述功率控制选择线，基于所述功率控制选择线的第二功率控制选择线状态控制所述第二功率控制存储器单元的第二功率控制存储器单元状态，其中所述功率控制选择线是所述功率控制存储器单元和所述第二功率控制存储器单元共用的位线；以及基于所述第二功率控制存储器单元状态门控至所述存储器阵列的第二子阵列的第二数据存储器单元的功率。
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