[发明专利]基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法

摘要

本发明具体公开了一种基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法，所述方法包括：在样品上布置多个热电偶，在真空环境下将样品通电加热至高温，使其自然冷却降温；将样品降温过程分为多个温度子区间，将半球向全发射率、导热系数及比热容分别表示为关于温度的数学函数；将样品沿其轴向分为多个微元控制体，构建样品在降温过程中微元控制体某一时刻的能量平衡方程；获得样品在降温过程中的半球向全发射率、导热系数及比热容的数值。本发明适用于具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率测量，且可同时得到导体材料的导热系数及比热容。

主权项

一种基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法，其特征在于，所述方法的步骤包括：S1.选取带状导体材料样品，在所述样品上布置多个热电偶，将样品在真空环境下通电加热至高温，然后断电使样品在真空环境中自然冷却降温，测量样品在降温过程中多个热电偶测点处的温度变化；S2.将所述样品降温过程的温度变化范围分为多个温度子区间，在每个子区间内，将样品的半球向全发射率、导热系数及比热容分别表示为关于温度的数学函数；S3.将所述样品沿其轴向分为多个微元控制体，构建样品在降温过程中微元控制体某一时刻的能量平衡方程；S4.将所述半球向全发射率函数、导热系数函数及比热容函数代入到样品降温过程中各微元控制体各时刻的能量平衡方程，形成一个方程组，根据样品在降温过程中热电偶测点处的温度值变化数据，获得样品在降温过程中的半球向全发射率、导热系数及比热容的数值变化。