[发明专利]半导体器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圆级球栅阵列模塑激光封装的方法

摘要

一种半导体器件，具有半导体管芯，其具有沉积在半导体管芯之上和周围的密封剂。在密封剂的第一表面之上形成互连结构。形成从密封剂的第二表面到密封剂的第一表面的开口以暴露互连结构的表面。凸块形成为在开口内凹进并被设置在互连结构的表面之上。提供一种半导体封装。半导体封装被设置在密封剂的第二表面之上并且被电连接到凸块。在半导体封装之上形成多个互连结构以将半导体封装电连接到凸块。半导体封装包括存储器件。半导体器件包括小于1毫米的高度。开口包括通过激光直接烧蚀形成的锥形侧壁。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体管芯；在所述半导体管芯之上以及周围沉积密封剂；去除所述密封剂的一部分以减小所述密封剂的厚度并平面化所述密封剂的第一表面；在去除所述密封剂的所述部分之后在所述半导体管芯的有源表面和与所述密封剂的第一表面相对的所述密封剂的第二表面之上形成第一互连结构；形成从所述密封剂的第一表面延伸至所述第一互连结构的开口；在所述密封剂的所述开口之上沉积凸块材料，所述凸块材料的一部分在所述密封剂的所述开口的外部；以及回流所述凸块材料以使所述凸块材料流入所述开口并与所述第一互连结构相接触，以形成在所述开口内凹进的凸块。