[发明专利]半导体器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圆级球栅阵列模塑激光封装的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在所述半导体管芯之上以及周围沉积密封剂；

去除所述密封剂的一部分以减小所述密封剂的厚度并平面化所述密封剂的第一表面；

在去除所述密封剂的所述部分之后在所述半导体管芯的有源表面和与所述密封剂的第一表面相对的所述密封剂的第二表面之上形成第一互连结构；

形成从所述密封剂的第一表面延伸至所述第一互连结构的开口；

在所述密封剂的所述开口之上沉积凸块材料，所述凸块材料的一部分在所述密封剂的所述开口的外部；以及

回流所述凸块材料以使所述凸块材料流入所述开口并与所述第一互连结构相接触，以形成在所述开口内凹进的凸块。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

提供半导体封装；以及

在所述密封剂的第一表面之上设置所述半导体封装，并将所述半导体封装电连接到所述凸块。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：在所述半导体封装之上形成多个第二互连结构，以将所述半导体封装电连接到所述凸块。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述半导体器件包括小于1毫米的高度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述开口包括通过激光直接烧蚀来形成的锥形侧壁。

6.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在所述半导体管芯之上和周围沉积密封剂；

去除所述密封剂的一部分以减小所述密封剂的厚度并平面化所述密封剂的第一表面；

在去除所述密封剂的所述部分之后在所述第一表面相对的所述密封剂的第二表面之上形成互连结构；

在所述密封剂的所述第一表面中形成开口；

在所述密封剂的开口之上沉积凸块材料，所述凸块材料的一部分在所述密封剂的所述开口的外部；以及

回流所述凸块材料以使所述凸块材料流入所述开口并与所述互连结构相接触，以形成在所述密封剂的开口内凹进的凸块。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：

提供半导体封装；以及

将所述半导体封装设置在所述半导体管芯之上，以将所述半导体封装电连接到所述互连结构。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在所述半导体封装之上形成多个凸块，以将所述半导体封装电连接到所述互连结构。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述开口包括使用激光直接烧蚀。

10.一种半导体器件，包括：

半导体管芯，包括在所述半导体管芯的表面上形成的第一导电层；

密封剂，所述密封剂沉积在所述半导体管芯之上和周围，在所述密封剂的表面中形成开口；

形成为与所述密封剂和所述半导体管芯接触的绝缘层；

形成为与所述密封剂和所述半导体管芯接触的第二导电层，在所述密封剂的表面中的开口延伸至所述第二导电层，其中在所述半导体管芯的表面上形成的所述第一导电层直接接触所述第二导电层；以及

在所述开口内凹进并与所述第二导电层接触的凸块。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，进一步包括半导体封装，所述半导体封装设置在所述密封剂之上并电连接到所述凸块。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括小于1毫米的高度。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述开口包括锥形侧壁。