[发明专利]一种双栅极扫描线驱动的像素结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310142016.1 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103926765B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 曹兆铿 | 申请（专利权）人： | 上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 201108 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅极扫描线驱动的像素结构及其制作方法。该像素结构包括像素单元，包括水平相邻的两个子像素；每个所述像素包括两条扫描线和一条数据线；每个子像素设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管包括与扫描线电连接的栅极和补偿栅极，每条数据线分别与薄膜晶体管的源极电连接，且与同一条数据线电连接的薄膜晶体管分别与不同的扫描线电连接；像素电极，位于子像素中，并与薄膜晶体管的漏极电连接；公共电极,包括由第一层金属层制成的第一公共电极和由第二金属层制成的第二公共电极,第一公共电极和第二公共电极通过接触孔电连接,第一公共电极、第二公共电极围绕所述子像素的四周设置，且与像素电极部分交叠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 扫描 驱动 像素 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双栅极扫描线驱动的像素结构，其特征在于，包括：像素单元，包括相邻的两个子像素；每个所述像素单元包括两条扫描线和一条数据线；每个所述子像素设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括与所述扫描线电连接的栅极和补偿栅极，每条所述数据线分别与所述薄膜晶体管的源极电连接，且与同一条数据线电连接的所述薄膜晶体管分别与不同的所述扫描线电连接；像素电极，位于所述子像素中，并与所述薄膜晶体管的漏极电连接；公共电极,包括由第一层金属层制成的第一公共电极和由第二金属层制成的第二公共电极,所述第一公共电极和第二公共电极通过第一接触孔电连接,其中，所述第一公共电极、第二公共电极围绕所述子像素的四周设置，且与所述像素电极部分交叠；所述补偿栅极与所述第二公共电极部分交叠。
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