[发明专利]一种双栅极扫描线驱动的像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种双栅极扫描线驱动的像素结构，其特征在于，包括： 

像素单元，包括相邻的两个子像素； 

每个所述像素单元包括两条扫描线和一条数据线； 

每个所述子像素设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括与所述扫描线电连接的栅极和补偿栅极，每条所述数据线分别与所述薄膜晶体管的源极电连接，且与同一条数据线电连接的所述薄膜晶体管分别与不同的所述扫描线电连接； 

像素电极，位于所述子像素中，并与所述薄膜晶体管的漏极电连接； 

公共电极,包括由第一层金属层制成的第一公共电极和由第二金属层制成的第二公共电极,所述第一公共电极和第二公共电极通过第一接触孔电连接,其中，所述第一公共电极、第二公共电极围绕所述子像素的四周设置，且与所述像素电极部分交叠。 

2.根据权利要求1所述的双栅极扫描线驱动的像素结构，其特征在于，所述第一公共电极设置在靠近所述数据线的一侧，所述第二公共电极设置在远离所述数据线的一侧。 

3.根据权利要求1所述的双栅极扫描线驱动的像素结构，其特征在于，所述扫描线、所述薄膜晶体管的栅极和补偿栅极、所述第一公共电极由同一金属层制成。 

4.根据权利要求1所述的双栅极扫描线驱动的像素结构，其特征在于，所述数据线、所述薄膜晶体管的漏极、所述第二公共电极由同一金属层制成。 

5.根据权利要求1所述的双栅极扫描线驱动的像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括位于所述栅极和所述补偿栅极之上的沟道层,以及与所述像素电极电连接的漏极。 

6.根据权利要求5所述的双栅极扫描线驱动的像素结构，其特征在于，所 述薄膜晶体管的漏极通过接触孔与所述像素电极电性连接。 

7.根据权利要求1所述的双栅极扫描线驱动的像素结构，其特征在于，所述补偿栅极设置在所述第二公共电极与所述扫描线之间的空隙处，且所述补偿栅极与所述第二公共电极部分交叠。 

8.一种双栅极扫描线驱动的像素结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 

提供一基板； 

在所述基板上设置第一金属层，图案化所述第一金属层，以形成扫描线、与所述扫描线电性连接的栅极和补偿栅极、第一公共电极； 

在所述扫描线、所述薄膜晶体管的栅极和补偿栅极、所述第一公共电极之上形成第二金属层，图案化所述第二金属层，以形成数据线、薄膜晶体管的源级及漏极、第二公共电极； 

其中，每条所述数据线分别与所述薄膜晶体管的源极电连接，且与同一条数据线电连接的所述薄膜晶体管分别与不同的所述扫描线电连接； 

所述第二公共电极通过第一接触孔与所述第一公共电极连接，所述第一公共电极、第二公共电极围绕所述子像素的四周设置，且与所述像素电极部分交叠； 

形成像素电极层,与所述薄膜晶体管的漏极电连接。 

9.根据权利要求8所述的双栅极扫描线驱动的像素结构的制作方法，其特征在于，所述扫描线,薄膜晶体管的栅极和所述补偿栅极,第一公共电极由同一金属层制成。 

10.根据权利要求8所述的双栅极扫描线驱动的像素结构的制作方法，其特征在于，所述数据线,所述薄膜晶体管的漏极,第二公共电极由同一金属层 制成。 

11.根据权利要求8所述的双栅极扫描线驱动的像素结构，其特征在于，所述补偿栅极设置在所述第二公共电极与所述扫描线之间的空隙处，且所述补偿栅极与所述第二公共电极部分交叠。 

12.根据权利要求8所述的双栅极扫描线驱动的像素结构的制作方法，其特征在于，形成像素电极层之后还包括： 

形成覆盖所述数据线、薄膜晶体管的漏极、第二公共电极的保护层； 

所述薄膜晶体管的漏极之上的保护层形成有第二接触孔； 

所述薄膜晶体管的漏极通过所述第二接触孔与所述像素电极电性连接。 

13.根据权利要求8所述的双栅极扫描线驱动的像素结构的制作方法，其特征在于，形成扫描线、与所述扫描线电性连接的栅极和补偿栅极、第一公共电极之后还包括：在所述扫描线、与所述扫描线电性连接的栅极和补偿栅极、第一公共电极之上覆盖栅绝缘层，在所述栅绝缘层上形成沟道层。 

14.一种液晶显示器，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上设置有如权利要求1-7至少一项的双栅极扫描线驱动的像素结构。