[发明专利]一种低成本高立方织构含量镍基带的制备方法有效
| 申请号： | 201310135732.7 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103194704A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 陈兴品;杨梦娟;李龙飞;陈雪;刘庆 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C22F1/10 | 分类号： | C22F1/10 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 张先芸 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低成本高立方织构含量镍基带的制备方法，属于高温超导涂层导体金属基带技术领域。该方法首先通过冷轧和退火得到具有一定立方织构含量的初始板，然后将初始板以3%～10%的道次压下量进行冷轧，总压下量为95%～98%，最后在700℃～900℃进行退火30～60min，升温速率为300℃/h，在保护气体中进行。通过织构测试分析发现采用该方法在较低温度下退火就能得到很高立方织构含量的基带，从而可以降低能源消耗和生产成本，提高生产效率。本发明的方法成本低，对第二代高温超导带材的生产和应用推广具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 立方 含量 基带 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低成本高立方织构含量镍基带的制备方法，包括如下工艺步骤：1） 将金属纯镍或镍钨合金以3%～10%的道次压下量进行冷轧，总压下量为80%～90%；2） 将步骤1）制备的金属镍带在Ar+4%H2保护气氛下，以600℃～900℃进行再结晶退火，退火时间为30～60 min，获得初始立方织构含量的带材；3） 将步骤2）制备的带材以3%～10%的道次压下量进行冷轧，总压下量为95%～98%；4） 将步骤3）制备的带材在Ar+4%H2保护气氛下，以700℃～900℃进行再结晶退火，退火时间为30～60min，得到高立方织构含量的镍基带。
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