[发明专利]一种低成本高立方织构含量镍基带的制备方法有效
| 申请号： | 201310135732.7 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103194704A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 陈兴品;杨梦娟;李龙飞;陈雪;刘庆 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C22F1/10 | 分类号： | C22F1/10 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 张先芸 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 立方 含量 基带 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低成本高立方织构含量镍基带的制备方法，包括如下工艺步骤：
1） 将金属纯镍或镍钨合金以3%～10%的道次压下量进行冷轧，总压下量为80%～90%；
2） 将步骤1）制备的金属镍带在Ar+4%H2保护气氛下，以600℃～900℃进行再结晶退火，退火时间为30～60 min，获得初始立方织构含量的带材；
3） 将步骤2）制备的带材以3%～10%的道次压下量进行冷轧，总压下量为95%～98%；
4） 将步骤3）制备的带材在Ar+4%H2保护气氛下，以700℃～900℃进行再结晶退火，退火时间为30～60min，得到高立方织构含量的镍基带。
2.根据权利要求1所述低成本高立方织构含量镍基带的制备方法，其特征在于，所述步骤1）和步骤3）中，所述冷轧采用单向轧制。
3.根据权利要求1所述低成本高立方织构含量镍基带的制备方法，其特征在于，所述步骤1）和步骤3）中，所述冷轧的道次压下量控制在10%以下。
4.根据权利要求1所述低成本高立方织构含量镍基带的制备方法，其特征在于，所述镍基带为NiW基带，其中W的原子百分含量为0%～7%。
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