[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201310130438.7 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103579329A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 全佑彻 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法。HEMT可以包括：半导体层；具有开口的掩模层，在半导体层上；以及耗尽形成层，设置在半导体层的被开口暴露的部分上。耗尽形成层可以在半导体层的二维电子气（2DEG）中形成耗尽区。凹陷区可以形成在半导体层中，掩模层的开口可以暴露凹陷区的至少一部分。掩模层可以覆盖半导体层的上表面和凹陷区的内侧表面。或者，掩模层可以覆盖半导体层的上表面、凹陷区的内侧表面、以及凹陷区的底表面的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，包括：第一半导体层；第二半导体层，在所述第一半导体层中感生二维电子气；绝缘掩模层，设置在所述第二半导体层上，所述绝缘掩模层限定暴露所述第一半导体层的一部分和所述第二半导体层的一部分中的一个的开口；耗尽形成层，设置在所述第一半导体层的该部分和所述第二半导体层的该部分中的被所述开口暴露的一个上，所述耗尽形成层配置为在所述二维电子气中形成耗尽区；栅极，设置在所述耗尽形成层上；以及源极和漏极，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层中的至少一个上，所述源极和所述漏极与所述栅极间隔开。
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