[发明专利]局域表面等离子体增强型垂直结构LED结构及制造方法有效
| 申请号： | 201310130342.0 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN103219442A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 云峰;黄亚平;王越;田振寰;王宏 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供局域表面等离子体增强型垂直结构LED结构及制造方法。所述LED结构包括垂直结构的LED器件以及局域表面等离子体，所述局域表面等离子体设置在LED器件的P型GaN层内，并以N型GaN层为出光面。本发明在垂直结构LED器件中引入局域表面等离子体，该局域表面等离子体结构制作在P-GaN面；以n-GaN面作为出光面。这样，金属纳米柱阵列在LED发光过程中，产生QW-SP耦合，增大LED的内量子效率。同时QW-SP耦合速度非常快（在飞秒级别），在大电流注入情况下，能有效的将注入电子能量通过QW-SP耦合的方式转化到LSP中，缓解大电流情况下LED光效下降现象。 | ||
| 搜索关键词： | 局域 表面 等离子体 增强 垂直 结构 led 制造 方法 | ||
【主权项】：
局域表面等离子体增强型垂直结构LED结构，其特征在于：包括垂直结构的LED器件以及局域表面等离子体，所述局域表面等离子体设置在LED器件的P型GaN层（4）内，并以N型GaN层（1）为出光面；在所述N型GaN层（1）的背面设置有光子晶体（11）或表面粗化结构。
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