[发明专利]一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310129980.0 申请日: 2013-04-15
公开(公告)号: CN103194734A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 李贺军;田松;张雨雷;张守阳;强新发 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/32;C30B25/00;C30B29/36;C30B29/62;C30B30/02
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法,没有使用三维网络结构的模版,直接通过催化剂辅助的化学气相沉积方法首次在2D针刺碳毡的表面制备了自组装的三维HfC晶须网络结构,所制得的产物相比模版法引入的其他元素的杂质含量少。
搜索关键词: 一种 组装 三维 碳化 铪晶须 网络 结构 制备 方法
【主权项】:
一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法,其特征在于步骤如下:步骤1:配制浓度为0.05~2mol/L的Ni(NO3)2或NiCl2的乙醇溶液;步骤2:将清洗干净的2D针刺碳毡放在步骤1配制的溶液中浸泡1~2h,然后取出2D针刺碳毡放在40~55℃的干燥箱内烘干;步骤3:将步骤2烘干的2D针刺碳毡放于管式电阻炉内的沉积模具中,抽真空至2kPa,通入惰性氩气作为保护气体;以5~10℃/min的升温速度将炉温升至1200~1400℃,然后通入H2、HfCl4和CH4气体,控制H2、HfCl4和CH4的分压分别为0.80~0.98,0.10~0.01,0.10~0.01;调节真空泵抽速,将CVD炉内的沉积压力控制在2kPa~30kPa;沉积时间为2~10h;沉积结束后停止通入反应气体,关闭加热电源自然降温,在2D针刺碳毡沉积表面制得自组装三维HfC晶须网络结构。
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