[发明专利]一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法有效
| 申请号: | 201310129980.0 | 申请日: | 2013-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN103194734A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
| 发明(设计)人: | 李贺军;田松;张雨雷;张守阳;强新发 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/32;C30B25/00;C30B29/36;C30B29/62;C30B30/02 |
| 代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
| 地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法,没有使用三维网络结构的模版,直接通过催化剂辅助的化学气相沉积方法首次在2D针刺碳毡的表面制备了自组装的三维HfC晶须网络结构,所制得的产物相比模版法引入的其他元素的杂质含量少。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 组装 三维 碳化 铪晶须 网络 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法,其特征在于步骤如下:步骤1:配制浓度为0.05~2mol/L的Ni(NO3)2或NiCl2的乙醇溶液;步骤2:将清洗干净的2D针刺碳毡放在步骤1配制的溶液中浸泡1~2h,然后取出2D针刺碳毡放在40~55℃的干燥箱内烘干;步骤3:将步骤2烘干的2D针刺碳毡放于管式电阻炉内的沉积模具中,抽真空至2kPa,通入惰性氩气作为保护气体;以5~10℃/min的升温速度将炉温升至1200~1400℃,然后通入H2、HfCl4和CH4气体,控制H2、HfCl4和CH4的分压分别为0.80~0.98,0.10~0.01,0.10~0.01;调节真空泵抽速,将CVD炉内的沉积压力控制在2kPa~30kPa;沉积时间为2~10h;沉积结束后停止通入反应气体,关闭加热电源自然降温,在2D针刺碳毡沉积表面制得自组装三维HfC晶须网络结构。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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