[发明专利]一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法

权利要求书

1.一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：配制浓度为0.05～2mol/L的Ni(NO₃)₂或NiCl₂的乙醇溶液；

步骤2：将清洗干净的2D针刺碳毡放在步骤1配制的溶液中浸泡1～2h，然后取出2D针刺碳毡放在40～55℃的干燥箱内烘干；

步骤3：将步骤2烘干的2D针刺碳毡放于管式电阻炉内的沉积模具中，抽真空至2kPa，通入惰性氩气作为保护气体；以5～10℃/min的升温速度将炉温升至1200～1400℃，然后通入H₂、HfCl₄和CH₄气体，控制H₂、HfCl₄和CH₄的分压分别为0.80～0.98，0.10～0.01，0.10～0.01；调节真空泵抽速，将CVD炉内的沉积压力控制在2kPa～30kPa；沉积时间为2～10h；沉积结束后停止通入反应气体，关闭加热电源自然降温，在2D针刺碳毡沉积表面制得自组装三维HfC晶须网络结构。

2.根据权利要求1所述自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，其特征在于：所述步骤3中通入的HfCl₄气体流量为80～150mg/min。

3.根据权利要求1所述自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，其特征在于：所述Ni(NO₃)₂为分析纯，质量百分含量≥99.8%。

4.根据权利要求1所述自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，其特征在于：所述NiCl₂为分析纯，质量百分含量≥99.8%。

5.根据权利要求1所述自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，其特征在于：所述乙醇为分析纯，质量百分含量≥99.8%。

6.根据权利要求1所述自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，其特征在于：所述HfCl₄为分析纯，质量百分含量≥99.8%。

7.根据权利要求1所述自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，其特征在于：所述Ar为纯度大于99.999%的高纯气体。

8.根据权利要求1所述自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，其特征在于：所述CH₄为纯度大于99.999%的高纯气体。

9.根据权利要求1所述自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法，其特征在于：所述H₂为纯度大于99.999%的高纯气体。