[发明专利]用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法有效
| 申请号： | 201310127938.5 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103227265A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 张保平;刘文杰;胡晓龙;张江勇;应磊莹 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，涉及氮化镓基发光器件。制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片；在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种，形成非平面结构；在非平面结构上制作金属层；在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理，形成第一含金属层；在导热性好的基底上制备第二含金属层；在真空或者氮气氛围，贴合所述第一含金属层与第二含金属层，将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。可以将具有非平面结构的氮化镓基薄膜转移到具有良好导热和导电性好的衬底上，如硅和铜等衬底，从而改善发光器件的散热情况，提高器件可工作的电流密度，增大光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 氮化 发光 器件 平面 方法 | ||
【主权项】：
用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，其特征在于包括以下步骤：1)制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片；2)在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种，形成非平面结构；3)在非平面结构上制作金属层；4)在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理，形成第一含金属层；5)在导热性好的基底上制备第二含金属层；6)在真空或者氮气氛围，贴合所述第一含金属层与第二含金属层，将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310127938.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
