[发明专利]用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法

权利要求书

1.用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，其特征在于包括以下步骤：

1)制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片；

2)在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种，形成非平面结构；

3)在非平面结构上制作金属层；

4)在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理，形成第一含金属层；

5)在导热性好的基底上制备第二含金属层；

6)在真空或者氮气氛围，贴合所述第一含金属层与第二含金属层，将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。

2.如权利要求1所述用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，其特征在于在步骤2)中，所述制作采用剥离、腐蚀或刻蚀方法。

3.如权利要求1所述用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，其特征在于在步骤2)中，所述导电层为透明导电层或半透明导电层。

4.如权利要求1所述用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，其特征在于在步骤2)中，所述导电层选自铟锡氧化物层、铟锌氧化物层、氧化锌层、掺铝氧化锌层、掺镓氧化锌层、镍金层中的一种。

5.如权利要求1所述用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，其特征在于在步骤2)中，所述电流限制层选自氧化硅电流限制层、氮化硅电流限制层、氧化铝电流限制层、氧化钽电流限制层中的一种。

6.如权利要求1所述用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，其特征在于在步骤3)中，所述制作金属层采用蒸发或溅射方法制作金属层。

7.如权利要求1所述用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，其特征在于在步骤3)中，所述金属层的厚度至少超过非平面结构的最高厚度。

8.如权利要求1所述用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，其特征在于在步骤4)和步骤5)中，所述第一含金属层和第二含金属层的组成为Au、In、Sn、Cu、Pb键合金属中的至少一种金属，或者至少两种金属的合金。

9.如权利要求1所述用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，其特征在于在步骤5)中，所述导热性好的基底选自硅、铜、陶瓷或其它热导率高的金属和非金属材料。

10.如权利要求1所述用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法，其特征在于在步骤6)中，所述键合的压强为0～10MPa，所述键合的温度为100～400℃，所述键合的时间为5～90min。