[发明专利]非易失性存储器及其操作方法有效
| 申请号： | 201310126077.9 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN104103317B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 吴冠纬;张耀文;杨怡箴;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层储存单元(MLC)的非易失性存储器于编程前根据预先设定的编码表(coding table)来变换阈值电压分布的方法。所述方法包含分组多个储存单元，所述储存单元预先设定具有相同的第一位电压，因而在相同主状态下；接着，如果一预选主状态下的所述储存单元具有相同的预先设定的第二位电压时，分组所述预选主状态下的所述储存单元为相同的次状态；以及提高所述储存单元的所述第一位电压至一电压，所提高的所述储存单元具有最高预先设定的第二位电压，且所述电压高于所述预先设定最高主状态的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种多层储存单元(MLC)的非易失性存储器于编程前根据预先设定的编码表(coding table)的变换阈值电压分布的方法，包含：分组多个储存单元，预先设定在相同主状态下的多个储存单元具有相同的一第一位电压；如果一预选主状态下的所述储存单元具有相同的预先设定的一第二位电压时，分组所述预选主状态下的所述储存单元为相同的次状态；以及提高所述储存单元的所述第一位电压至一电压，其中所述储存单元具有最高预先设定的第二位电压，且所述电压高于所述预先设定的主状态的最高电压值。
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