[发明专利]非易失性存储器及其操作方法

权利要求书

1.一种多层储存单元(MLC)的非易失性存储器于编程前根据预先设定的编码表(coding table)的变换阈值电压分布的方法，包含：

分组多个储存单元，预先设定在相同主状态下的多个储存单元具有相同的一第一位电压；

如果一预选主状态下的所述储存单元具有相同的预先设定的一第二位电压时，分组所述预选主状态下的所述储存单元为相同的次状态；以及

提高所述储存单元的所述第一位电压至一电压，其中所述储存单元具有最高预先设定的第二位电压，且所述电压高于所述预先设定的主状态的最高电压值。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述主状态为一第一主状态，所述第一主状态于其它主状态间具有最低电压电平。

3.根据权利要求1所述的方法，其中于所述预选主状态包含i种次状态，所述i种次状态是，根据每一次状态的高边界电压，以1至i的顺序排列，其中所述第i次状态具有最高边界电压。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包含一步骤，所述步骤提升第i-1次状态的一电压，所述电压高于具有最高电压值的所述预先设定主状态的电压。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包含一步骤，所述步骤形成一第二主状态，所述第二主状态具有一低边界电压，所述低边界电压高于所述预先设定最高主状态的高边界电压。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包含一步骤，所述步骤于所述主状态内分组所述提升后的第i及i-1次状态。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包含一步骤，所述步骤提升至少两种次状态至一电压，所述电压高于所述预先设定最高主状态的高边界电压。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包含一步骤，所述步骤于提升所述第一位电压前，去除于所述非易失性存储器内的捕获电荷(trapped charges)。

9.一种供多层储存单元(MLC)的非易失性存储器提升阈值电压窗口的方法，包含：

根据一预先设定编码表，获取每一储存单元的一编程后的电压；

筛选多个储存单元，其中预先设定在相同主状态下的多个储存单元具有相同的一第一位电压；

根据每一储存单元的一第二位电压，区分所述筛选后的储存单元，具有该第二位电压的所述储存单元系在相同的次状态下；以及

提升具有最高第二位电压的所述储存单元的所述第一位电压至一较高电压。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包含一步骤，所述步骤提升具有第二最高第二位电压的所述储存单元的所述第一位电压至一较高电压。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述筛选后的储存单元的一部分的阈值电压，于提升步骤前重叠于无筛选的储存单元的电压。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述提升的第一位电压高于所述预先设定编码表所设定的所述第一位电压的最高值。

13.根据权利要求9所述的方法，进一步包含一步骤，所述步骤于提升所述第一位电压前，去除于所述非易失性存储器内的捕获电荷(trapped charges)。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述储存单元的具有不同第一位电压的所述阈值电压，于提升所述第一位电压后，并不彼此重叠。