[发明专利]一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器有效
| 申请号： | 201310120305.1 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103197486A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王俊龙;冯志红;邢东;梁士雄;张立森;蔚翠;杨大宝 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G02F1/39 | 分类号： | G02F1/39;G02F1/355;G02F1/365;G02B6/12 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器，涉及调制放大器技术领域。包括衬底、波导芯层、两个欧姆接触电极、石墨烯层和绝缘介质层，所述波导芯层位于所述衬底上表面的中部，所述波导芯层的上面和左右侧面设有两个以上石墨烯层，每相邻的两个石墨烯层之间使用绝缘介质层进行电学隔离，两个欧姆接触电极位于所述波导芯层左右两侧的衬底上，最上层石墨烯层和最下层石墨烯层通过欧姆接触电极分别与正负电压相连。所述调制放大器可以实现对THz波的调制，同时实现对THz波的放大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 波导 结构 赫兹 调制 放大器 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器，其特征在于包括衬底（1）、波导芯层（2）、两个欧姆接触电极（3）、石墨烯层（4）和绝缘介质层（5），所述波导芯层（2）位于所述衬底（1）上表面的中部，所述波导芯层（2）的上面和左右侧面设有两个以上石墨烯层（4），每相邻的两个石墨烯层（4）之间使用绝缘介质层（5）进行电学隔离，两个欧姆接触电极（3）位于所述波导芯层（2）左右两侧的衬底（1）上，最上层石墨烯层和最下层石墨烯层分别与一个欧姆接触电极相连。
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