[发明专利]一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器有效
| 申请号： | 201310120305.1 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103197486A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王俊龙;冯志红;邢东;梁士雄;张立森;蔚翠;杨大宝 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G02F1/39 | 分类号： | G02F1/39;G02F1/355;G02F1/365;G02B6/12 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 波导 结构 赫兹 调制 放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器，其特征在于包括衬底（1）、波导芯层（2）、两个欧姆接触电极（3）、石墨烯层（4）和绝缘介质层（5），所述波导芯层（2）位于所述衬底（1）上表面的中部，所述波导芯层（2）的上面和左右侧面设有两个以上石墨烯层（4），每相邻的两个石墨烯层（4）之间使用绝缘介质层（5）进行电学隔离，两个欧姆接触电极（3）位于所述波导芯层（2）左右两侧的衬底（1）上，最上层石墨烯层和最下层石墨烯层分别与一个欧姆接触电极相连。
2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器，其特征在于所述绝波导芯层（2）在THz波段的吸收系数 。
3.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器，其特征在于衬底（1）在THz波段的折射率大于波导芯层（2）在THz波段的折射率，衬底（1）的厚度大于三倍波导芯层（2）的厚度。
4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器，其特征在于所述衬底（1）为二氧化硅，所述波导芯层（2）为硅，所述绝缘介质层（5）为氧化铝。
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