[发明专利]半导体单元无效

专利信息
申请号: 201310118025.7 申请日: 2013-04-07
公开(公告)号: CN103367277A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 西槙介;森昌吾;音部优里;加藤直毅 申请(专利权)人: 株式会社丰田自动织机
主分类号: H01L23/46 分类号: H01L23/46;H01L23/16;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 朱胜;李春晖
地址: 日本爱知*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种半导体单元,该半导体单元包括:冷却器,其具有流体流动空间;绝缘基底,其通过金属而被接合到所述冷却器;半导体装置,其被焊接到所述绝缘基底;中间构件,其介于所述绝缘基底与所述流体流动空间之间,并且具有安装有所述绝缘基底的第一表面;以及塑模树脂,其具有与所述中间构件相比较低的线性膨胀系数,其中,通过所述塑模树脂来对所述绝缘基底、所述半导体装置以及所述冷却器进行塑模。所述中间构件具有相对于所述第一表面向上或向下延伸的第二表面。所述第一表面被所述塑模树脂覆盖。所述第二表面被树脂封套覆盖。
搜索关键词: 半导体 单元
【主权项】:
一种半导体单元,包括:冷却器,其具有流体流动空间;绝缘基底,其通过金属而被接合到所述冷却器;半导体装置,其被焊接到所述绝缘基底;中间构件,其介于所述绝缘基底与所述流体流动空间之间,并且具有安装有所述绝缘基底的第一表面;以及塑模树脂,其具有与所述中间构件相比较低的线性膨胀系数,其中,通过所述塑模树脂来对所述绝缘基底、所述半导体装置以及所述冷却器进行塑模,其特征在于,所述中间构件具有相对于所述第一表面向上或向下延伸的第二表面,所述第一表面被所述塑模树脂覆盖,并且所述第二表面被树脂封套覆盖。
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