[发明专利]反向导通绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201310114587.4 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103367412A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.毛德;F.D.普菲尔施;A.菲利波;H-J.舒尔策;D.韦贝尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了反向导通绝缘栅双极型晶体管。一种半导体器件包括布置在半导体本体的第一侧与第二侧之间的第一导电类型的漂移区。所述半导体器件还包括沿着平行于第二侧的第一方向相继布置的第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区。所述半导体器件还包括处于第二侧的、与第一和第二区邻接的电极。所述半导体器件还包括布置在漂移区与第一区之间的第二导电类型的第三区。第三区与第二区并且与第二侧间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 向导 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种反向导通半导体器件，包括：布置在半导体本体的第一侧与第二侧之间的第一导电类型的漂移区；沿着平行于第二侧的第一方向相继布置的第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区；处于第二侧的、与第一和第二区邻接的电极；布置在漂移区与第一区之间的第二导电类型的第三区，以及其中，第三区与第二区并且与第二侧间隔开。
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