[发明专利]反向导通绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1. 一种反向导通半导体器件，包括：

布置在半导体本体的第一侧与第二侧之间的第一导电类型的漂移区；

沿着平行于第二侧的第一方向相继布置的第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区；

处于第二侧的、与第一和第二区邻接的电极；

布置在漂移区与第一区之间的第二导电类型的第三区，以及其中，

第三区与第二区并且与第二侧间隔开。

2. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，其中，所述反向导通半导体器件是反向导通IGBT，第一侧是发射极侧，以及第二侧是集电极侧。

3. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，还包括布置在第三半导体区与第一半导体区之间的第一导电类型的第四半导体区，并且其中第四半导体区的厚度处于50nm到5μm的范围内。

4. 根据权利要求3所述的反向导通半导体器件，其中，第四半导体区沿着垂直于第二侧的方向的平均掺杂浓度处于10¹⁴cm^-3到10¹⁶cm^-3的范围内。

5. 根据权利要求3所述的反向导通半导体器件，其中，漂移区的掺杂剂类型和掺杂浓度与第四半导体区的掺杂剂类型和掺杂浓度相符。

6. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，其中，第三半导体区是电浮动半导体区。

7. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，其中，第三半导体区被第一导电类型的半导体材料完全包围。

8. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，其中，第三半导体区覆盖第一和第二半导体区，并且具有处于50nm到5μm的范围内的厚度。

9. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，其中，第三半导体区沿着垂直于第二侧的垂直方向的平均掺杂浓度处于10¹⁴cm^-3到10¹⁶cm^-3的范围内。

10. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，其中，第三半导体区完全覆盖第一和第二半导体区。

11. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，其中，第三半导体区至少部分地覆盖第一半导体区，并且在第二半导体区上方的区域中不存在。

12. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，其中，第三半导体区完全覆盖第一半导体区，并且部分地覆盖第二半导体区。

13. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，其中，第三半导体区是连续的并且包括孔，其中孔面积比处于0%到90%的范围内。

14. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，其中，第三半导体区与第一半导体区邻接。

15. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，还包括在漂移区与第三半导体区之间的第一导电类型的场截止区，其中所述场截止区沿着垂直于第二侧的垂直方向具有的平均掺杂浓度大于漂移区沿着所述垂直方向的平均掺杂浓度。

16. 根据权利要求15所述的反向导通半导体器件，其中，第三半导体区被嵌入在所述场截止区中。

17. 根据权利要求15所述的反向导通半导体器件，其中，所述场截止区与第二半导体区邻接。

18. 根据权利要求1所述的反向导通半导体器件，还包括沿着横向方向交替地布置的多个第一和第二半导体区，其中每一个第二半导体区的最大横向尺寸小于漂移区的厚度的5倍。

19. 一种反向导通绝缘栅双极型晶体管，包括：

布置在半导体本体的发射极侧与集电极侧之间的第一导电类型的漂移区；

沿着平行于第二侧的第一方向相继布置的第一导电类型的第一发射极区和第二导电类型的第二发射极区；

处于第二侧的、与第一和第二发射极区邻接的电极；

布置在漂移区与第一区之间的第二导电类型的第三区，以及其中，

第三区与第二发射极区并且与第二侧间隔开。

20. 根据权利要求19所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管，其中，第三半导体区是电浮动半导体区。

21. 根据权利要求19所述的反向导通绝缘栅双极型晶体管，其中，第三半导体区被第一导电类型的半导体材料完全包围。