[发明专利]一种倒扣封装肖特基二极管凸点的制作工艺有效
申请号: | 201310107099.0 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN104078367B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 徐谦刚;杨耀虎;魏静;李文军 | 申请(专利权)人: | 天水天光半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心62100 | 代理人: | 鲜林 |
地址: | 741000*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种倒扣封装肖特基二极管凸点的制作工艺,按下述工艺步骤制作a、复合模版的设计及制作;b、凸点漏印;c、凸点烧结及表面清洗。本发明在丝网印刷技术工艺的基础上,用复合模版漏印技术,用芯片上的凸点代替传统封装的引出脚,能够在间距低至0.1mm,凸点区域0.2 mm的裸片上做出均匀一致的凸点,其排列密度很大,在Φ100圆片上,凸点数量都大于10000个,从而实现了用复合模版漏印技术制作肖特基二极管凸点。本工艺满足了凸点设计的技术要求,凸点成形规则、大小一致、光洁度好,使产品的体积极大的缩小,便于高端电子产品小型化。同时由于互连线长度极大缩短,使肖特基二极管正向势垒降低,实现组件高速化。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒扣 封装 肖特基 二极管 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种倒扣封装肖特基二极管凸点的制作工艺,按下述工艺步骤制作:a、复合模版的设计及制作:a.1:按照圆片的尺寸及肖特基二极管芯片的尺寸设计掩膜版,并将设计掩膜版转换为铬版,以备光刻使用;a.2:选取厚度0.1mm~0.3mm的不锈钢板,进行双面涂胶并烘干,以备光刻使用;a.3:光刻:在双面光刻机上,将不锈钢板放在两块铬版的中间,位置对准后进行曝光,曝光时间30‑40秒;a.4:腐蚀:将光刻完成的不锈钢板装入腐蚀片盒,将腐蚀时间设定为60‑180秒,温度设定为30℃,腐蚀片盒进入装有腐蚀液的腐蚀缸,腐蚀后形成漏印孔;a.5:涂覆乳胶层,形成不锈钢与乳胶层紧密结合的复合模板,乳胶层厚度0.05mm~0.1mm;b、凸点漏印:b.1:将复合模板粘贴在不锈钢网框上,将网框固定在精密丝网印刷机上;b.2:将制作有肖特基二极管芯片的圆片放在印刷台面,并用真空吸牢,将漏印孔与肖特基二极管芯片电极对准;b.3:将锡浆料倒入不锈钢网框中,准备凸点漏印;b.4:凸点漏印,在一定的刮板压力下,锡浆料将从漏印孔沉积到肖特基二极管电极上形成锡浆料凸点;c、凸点烧结及表面清洗:c.1:凸点烧结,将有锡浆料凸点的圆片,水平放入真空烧结炉中烧结;c.2:凸点表面清洗,烧结完成后的圆片在分析纯酒精中浸泡,浸泡完成后在去离子水中用超声清洗;c.3:干燥,将清洗好的圆片放入充氮气的烘箱中,温度设定120℃,时间25min,产品干燥后取出检验,凸点制作完成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天水天光半导体有限责任公司,未经天水天光半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310107099.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造