[发明专利]一种倒扣封装肖特基二极管凸点的制作工艺

权利要求书

1.一种倒扣封装肖特基二极管凸点的制作工艺，按下述工艺步骤制作：

a、复合模版的设计及制作：

a.1：按照圆片的尺寸及肖特基二极管芯片的尺寸设计掩膜版，并将设计掩膜版转换为铬版，以备光刻使用；

a.2：选取厚度0.1mm～0.3mm的不锈钢板，进行双面涂胶并烘干，以备光刻使用；

a.3：光刻：在双面光刻机上，将不锈钢板放在两块铬版的中间，位置对准后进行曝光，曝光时间30-40秒；

a.4：腐蚀：将光刻完成的不锈钢板装入腐蚀片盒，将腐蚀时间设定为60-180秒，温度设定为30℃，腐蚀片盒进入装有腐蚀液的腐蚀缸，腐蚀后形成漏印孔；

a.5：涂覆乳胶层，形成不锈钢与乳胶层紧密结合的复合模板，乳胶层厚度0.05mm～0.1mm；

b、凸点漏印：

b.1：将复合模板粘贴在不锈钢网框上，将网框固定在精密丝网印刷机上；

b.2：将制作有肖特基二极管芯片的圆片放在印刷台面，并用真空吸牢，将漏印孔与肖特基二极管芯片电极对准；

b.3：将锡浆料倒入不锈钢网框中，准备凸点漏印；

b.4：凸点漏印，在一定的刮板压力下，锡浆料将从漏印孔沉积到肖特基二极管电极上形成锡浆料凸点；

c、凸点烧结及表面清洗：

c.1：凸点烧结，将有锡浆料凸点的圆片，水平放入真空烧结炉中烧结；

c.2：凸点表面清洗，烧结完成后的圆片在分析纯酒精中浸泡，浸泡完成后在去离子水中用超声清洗；

c.3：干燥，将清洗好的圆片放入充氮气的烘箱中，温度设定120℃，时间25min，产品干燥后取出检验，凸点制作完成。

2.根据权利要求1所述的一种倒扣封装肖特基二极管凸点的制作工艺，其特征在于：所述步骤a.3中形成的漏印孔直径为0.2mm～0.5mm。

3.根据权利要求1所述的一种倒扣封装肖特基二极管凸点的制作工艺，其特征在于：所述步骤b.3中锡浆料的粘度应为900 Kcps±50 Kcps。

4.根据权利要求1所述的一种倒扣封装肖特基二极管凸点的制作工艺，其特征在于：所述步骤c.1中真空烧结炉的烧结参数为：真空度为5×10^-1Pa，最高温度为235℃±5℃，升温速率为25-26℃/min，恒温时间为2分钟。

5.根据权利要求1所述的一种倒扣封装肖特基二极管凸点的制作工艺，其特征在于：所述步骤c.2中在分析纯酒精中浸泡10分钟，浸泡完成后在去离子水中用超声清洗15分钟。

6.根据权利要求1所述的一种倒扣封装肖特基二极管凸点的制作工艺，其特征在于：所述步骤c.2中所述肖特基二极管芯片电极的形状为圆形或矩形。