[发明专利]集成电感结构以及集成电感结构制造方法在审
| 申请号： | 201310105936.6 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104078441A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 叶达勋 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;吕俊清 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电感结构以及集成电感结构制造方法，该集成电感结构包含有：一半导体基底、多个直通硅晶穿孔以及一电感。该多个直通硅晶穿孔形成于该半导体基底中并排列成一特定图案，且该多个直通硅晶穿孔中填充一金属材料，以形成一图案式接地防护；以及该电感形成于该半导体基底上方。该集成电感结构制造方法包含有：形成一半导体基底；于该半导体基底中形成多个直通硅晶穿孔，并将该多个直通硅晶穿孔排列成一特定图案；于该多个直通硅晶穿孔中填充一金属材料，以形成一图案式接地防护；以及于该半导体基底上方形成一电感。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 电感 结构 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电感结构，包含有：一半导体基底；多个直通硅晶穿孔，形成于该半导体基底中并排列成一特定图案，且该直通硅晶穿孔中填充一金属材料，以形成一图案式接地防护；以及一电感，形成于该半导体基底上方。
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