[发明专利]DRAM控制方法和系统以及计算机节电控制方法和系统有效
| 申请号： | 201310105279.5 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104076900B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 罗仕材 | 申请（专利权）人： | 超威半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/3234 | 分类号： | G06F1/3234 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高科技*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种DRAM控制方法以及系统。该方法包括如下步骤：当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值，如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤，如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。通过使得DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时保持剩余的存储器组在正常操作状态，本发明的方法能够更好地节约电能。 | ||
| 搜索关键词： | dram 控制 方法 系统 以及 计算机 节电 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM控制方法，包括如下步骤：当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值，其中所述DRAM是具有存储器组的集成电路，如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤，如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤，其中所述使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤包括如下步骤：根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态；重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及使该释放的存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。
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