[发明专利]DRAM控制方法和系统以及计算机节电控制方法和系统有效

专利信息
申请号: 201310105279.5 申请日: 2013-03-28
公开(公告)号: CN104076900B 公开(公告)日: 2019-09-27
发明(设计)人: 罗仕材 申请(专利权)人: 超威半导体(上海)有限公司
主分类号: G06F1/3234 分类号: G06F1/3234
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠
地址: 201203 上海市浦东新区张江高科技*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: dram 控制 方法 系统 以及 计算机 节电
【说明书】:

发明涉及一种DRAM控制方法以及系统。该方法包括如下步骤:当该DRAM处于正常操作状态时,判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值,如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值,那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤,如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值,则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。通过使得DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时保持剩余的存储器组在正常操作状态,本发明的方法能够更好地节约电能。

技术领域

本发明总体涉及半导体技术,包括半导体动态随机存取存储器 (DRAM)器件。更具体地,本发明涉及DRAM控制方法和系统,以及计算 机节电控制方法和系统。

背景技术

随着计算机和移动设备技术的发展,节电已成为越来越重要的特 性。

目前,包括移动设备的计算机设备具有三种常见的节电状态。第 一种节电状态通常被称为“挂起”状态。在这种状态中,计算机设备的显示 器自动断电,但主机仍然通电,后台任务仍然在后台继续运行。在这种状态 中,当对该计算机设备作出触动时(例如敲任意键),该计算机设备事实上 能够立即回到正常工作状态。

第二种节电状态是S3状态,其通常被称为“挂起到RAM(随机 存取存储器)状态”。在这种状态中,该计算机设备将当前的信息存储在 RAM中,并且所有的风扇、硬盘驱动器以及其它部件断电并进入休眠状态。 在这种状态中,该计算机设备处于高度节电状态,但是当给予该计算机触动 (例如敲任意键)后,该计算机会从RAM中读取信息并快速回到正常工作 状态。

第三种状态是S4状态,通常被称为“休眠”或者“挂起到DISK (硬盘)”状态。在这种状态中,主存储器(例如RAM)中的所有内容被保 存到非易失性存储器(例如硬盘)中,并且主存储器(例如RAM)断电。当 给予该计算机一激发时,例如按下开关键预定的时间,该计算机设备会从该 非易失性存储器读取数据并回到正常工作状态,而无须重新启动操作系统。

许多计算机设备,包括移动设备,使用动态随机存取存储器 (DRAM)。DRAM是随机存取存储器(RAM)中的一种类型,其将每个字 节的数据保存在集成电路或芯片中的独立的电容中。在使用DRAM的计算机 或者移动设备中,DRAM的控制在该计算机或移动设备的节电方面能起到重 要的作用。

与上述的三种节电状态相对应,DRAM具有三种操作状态。对 此,在DRAM芯片中具有结构为由多行和多列(类似电子制表程序例如微软 Excel中的工作表)形成的存储器组(memory bank)。第一种DRAM操作状 态如图1所示,其对应于上面描述的“挂起”状态。在该第一种DRAM操作 状态中,该DRAM的所有的存储器组(例如图1中所示的存储器组0-存储器组3)都处于正常操作状态(即,被读和/或写的状态)并保持数据。相应 地,在该第一种操作状态中,该DRAM的能耗是很高的。

第二种DRAM操作状态如图2所示,其对应于上面描述的S3状 态,即“挂起到RAM”状态。该第二种DRAM操作状态是自刷新状态,其 中,保存在该DRAM中的数据通过周期性的存储器刷新(即,周期性地从计 算机存储器的一区域读取信息并且立即将该读取的信息不作任何改变重写到 相同的区域以维持该信息)来保持。在这种状态中,没有存储器组(例如,图2中的存储器组0-存储器组3)是处于正常操作状态的,这些存储器组都 处于自刷新状态。因而,在该第二种操作状态的DRAM的能耗是很低的。

第三种DRAM状态与上面描述的S4状态,即“挂起到DISK”状 态相对应。在这种状态中,DRAM处于断电状态,即不工作状态,此时该 DRAM中不保存数据。

发明内容

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