[发明专利]一种提高偏振膜激光损伤阈值的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310102551.4 申请日: 2013-03-28
公开(公告)号: CN103215540A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 焦宏飞;王利;程鑫彬;马彬;王占山;其他发明人请求不公开姓名 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/58
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 张磊
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于薄膜光学领域,具体涉及一种提高偏振膜激光损伤阈值的制备方法,主要针对偏振激光薄膜中引起损伤发生的关键因素——基板表面及亚表面处的纳米吸收中心、薄膜中的吸收及缺陷,分别在薄膜制备前,采用高能离子束对基板进行轰击刻蚀处理,同时在薄膜镀制过程中,当每层膜镀制结束后,采用高能离子束对薄膜进行轰击处理。此方法既可以克服传统机械式抛光引起的抛光液残留问题,又可以避免化学方式刻蚀引起基板划痕或裂纹被放大引起酸残留或抛光液团聚现象发生,刻蚀深度和表面粗糙度可以精确控制,非常高效地降低了纳米吸收中心的密度;另外,此方法不但保留了电子束热蒸发方法镀制激光薄膜独特的有利的性能又同时改善了薄膜的本征吸收和缺陷密度。此方法具有针对性强、品质高、简单易行的特点。
搜索关键词: 一种 提高 偏振 激光 损伤 阈值 制备 方法
【主权项】:
一种提高偏振膜激光损伤阈值的制备方法,其特征在于具体步骤如下:(1)将基板清洗干净,然后利用高纯氮气吹干后放入镀膜机内;(2)控制镀膜机内真空室的本底真空度为1×10‑3Pa~6×10‑3Pa;(3)镀膜开始前,先用离子源对基板表面进行轰击刻蚀,时间为50‑70分钟,离子源发射的是氩离子和氧离子,控制氧气流量为30sccm~50sccm,氩气流量为5sccm~40sccm,电压为200V~1200V,电流为200mA~1000mA;(4)将基板加热至140~200度,并恒温70~90分钟;(5)利用电子束蒸发方式镀制第一层薄膜;(6)利用离子源对第一层薄膜镀制结束后的样品进行2~5分钟轰击,用离子源进行轰击样品时,氧离子流量为30~50sccm,氩离子流量为5~40sccm,电压为200V~800V,电流为400mA~1000mA;(7)依次重复步骤(5)和步骤(6)交替镀膜,至最后一层膜镀制结束;(8)待真空室冷却至室温后取出镀制好的样品。
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