[发明专利]铜内连结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种铜内连结构及其制造方法，所述方法包括提供具有导电区域的基板，在基板上形成具有介层开口的绝缘层，介层开口暴露出导电区域。依序通过沉积及回流工艺，在第一绝缘层上形成铜层，且填满介层开口。在铜层上形成掩模层以覆盖介层开口，接着对未被掩模层覆盖的铜层进行非等向性氧化。通过湿蚀刻工艺去除掩模层及氧化铜层，以形成位于介层开口的铜插塞及位于铜插塞上的铜接线。本发明因为通过形成铜层后所进行的回流工艺可消除对应于介层开口的铜层内所形成的孔洞，因此可增加铜内连结构的可靠度。再者，通过非电镀工艺形成铜层，铜内连线内的杂质可以减少或消除。因此，可降低铜内连线的电阻，进而增强其电特性。

主权项

一种铜内连结构的制造方法，包括：提供具有一导电区域的一基板；在该基板上形成具有一介层开口的一第一绝缘层，其中该介层开口暴露出该导电区域；依序通过沉积及回流工艺在该第一绝缘层上形成一铜层且填满该介层开口；在该铜层上形成一掩模层，以覆盖该介层开口；对未被该掩模层覆盖的该铜层进行非等向性氧化；以及通过一湿蚀刻工艺去除该掩模层及该氧化铜层，以形成位于该介层开口内的一铜插塞及位于该铜插塞上的一铜接线。