[发明专利]返魂草的组织培养繁育方法

摘要

本发明涉及一种返魂草的组织培养繁育方法，包括以下步骤：MS培养基作为基本培养基，6-BA、NAA、ZT、IAA和赤霉素作为调控激素分：返魂草刚萌发的嫩叶作为外植体，消毒；将返魂草外植体接种在初分化培养基上，长出不定芽；将长出不定芽的外植体转接入继代分化培养基中；将接种瓶口打开炼苗，取出组培苗，移栽至混合基质培养杯中，经过一段时间培养，移栽至大棚中，成活率达90%~95%。本发明取材少，培养经济，可人为控制培养条件，不受自然条件影响，生长周期短，繁殖率高，保证了返魂草的品质。

主权项

返魂草的组织培养繁育方法，其特征在于包括以下步骤：（1）培养基制备：选择MS培养基作为基本培养基，6‑苄氨基嘌呤（6‑BA）、萘乙酸（NAA）、赤霉素、玉米素（ZT）和3‑吲哚乙酸（IAA）作为调控激素分别制备三种培养基：初分化培养基A：MS+6‑BA0.1~0.4mg/L+赤霉素1~5mg/L，继代分化培养基B：MS+6‑BA0.5~1.5mg/L+ ZT0.1~1mg/L，生根培养基C：MS +NAA0.1~0.4mg/L+IAA0.1~0.5mg/L，培养基A和B中均附加5%蔗糖和1%琼脂，培养基C附加4%蔗糖和0.5%琼脂，用1~2mol/L的NaOH和HCl调节pH值至6.0，并将培养基A、B和C在高压蒸汽灭菌锅0.1~0.15MPa，120~125℃灭菌15~20min；（2）外植体的消毒：选用返魂草刚萌发的嫩叶作为外植体，用自来水冲洗30~60min，在无菌操作台上用75%酒精消毒4min，用无菌水冲洗3~4次，再用浓度为0.2%的升汞消毒7~15min，最后用无菌水冲洗3~4次；（3）外植体的诱导：将步骤（2）消毒的返魂草外植体接种在初分化培养基A上，接种瓶内每瓶放1~3个外植体，置于培养室内培养45天，外植体长出不定芽；（4）继代芽的分化：将步骤（3）中初分化完成的外植体转接入继代分化培养基B中，置于培养室内培养30天，外植体分化出丛芽；（5）继代芽的生根：将高度为2.0cm左右、健壮的继代单芽转接入生根培养基C中，进行生根培养，30~40天后根长达4~5cm；（6）炼苗及移栽：把接种瓶瓶口打开在培养室内散射光下炼苗5~7天，光照周期为16h/d，光照强度为2000~2400Lux，培养室温度为23~25℃；之后取出瓶内的组培苗，用自来水洗净根部的琼脂，再用蒸馏水稀释成500~600倍的多菌灵浸泡组培苗根部20~30min，移栽至以蛭石、珍珠岩和腐殖土为混合基质的培养杯中，将营养杯放到人工气候箱中，光照周期16h/d，光照强度为2000~2400Lux，白天23~25℃，晚上15~18℃，保持湿度40~60%，隔两周浇一次1/15~1/12MS母液，30~40天后移栽到大棚中。