[发明专利]电阻式存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310096522.1 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103515530A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 李明修;简维志 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种电阻式存储器及其制造方法。此电阻式存储器包括第一电极、第二电极、可变电阻材料层、第一介电层以及第二介电层。第一电极具有第一部分及第二部分。第二电极相对于第一电极而配置。可变电阻材料层具有侧壁以及相对的第一表面及第二表面，其中可变电阻材料层的第一表面与第一电极的第一部分连接；可变电阻材料层的第二表面与第二电极电性连接，且第二部分围绕可变电阻材料层的侧壁且与第一部分连接。第一介电层配置于第一电极与第二电极之间。第二介电层配置于可变电阻材料层与第一电极的第二部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式存储器，其特征在于，包括：第一电极，具有第一部分及第二部分；第二电极，相对于所述第一电极而配置；可变电阻材料层，具有侧壁以及相对的第一表面及第二表面，其中所述可变电阻材料层的所述第一表面与所述第一电极的所述第一部分连接，所述可变电阻材料层的所述第二表面与所述第二电极电性连接，且所述第二部分围绕所述可变电阻材料层的所述侧壁且与所述第一部分连接；第一介电层，配置于所述第一电极与所述第二电极之间；以及第二介电层，配置于所述可变电阻材料层与所述第一电极的所述第二部分之间。
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