[发明专利]电阻式存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：

第一电极，具有第一部分及第二部分；

第二电极，相对于所述第一电极而配置；

可变电阻材料层，具有侧壁以及相对的第一表面及第二表面，其中所述可变电阻材料层的所述第一表面与所述第一电极的所述第一部分连接，所述可变电阻材料层的所述第二表面与所述第二电极电性连接，且所述第二部分围绕所述可变电阻材料层的所述侧壁且与所述第一部分连接；

第一介电层，配置于所述第一电极与所述第二电极之间；以及

第二介电层，配置于所述可变电阻材料层与所述第一电极的所述第二部分之间。

2.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一部分的材料与所述第二部分的材料不同，且所述第一部分的材料的电阻较所述第二部分的材料的电阻高。

3.如权利要求2所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一部分的材料包括氮化钛、氮化钽或多晶硅，而所述第二部分的材料包括钨、铜、铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。

4.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一部分的材料与所述第二部分的材料相同，且所述第一电极的材料包括氮化钛、氮化钽、钨、铜、铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。

5.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，还包括导体层，且所述导体层连接所述可变电阻材料层与所述第二电极。

6.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述可变电阻材料层的材料包括硫属化合物或过渡金属氧化物。

7.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第二电极具有第三部分及第四部分，所述可变电阻材料层的所述第二表面与所述第二电极的所述第三部分连接，且所述第四部分围绕所述可变电阻材料层的所述侧壁且与所述第三部分连接。

8.如权利要求7所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第二介电层配置于所述可变电阻材料层与所述第一电极的所述第二部分之间以及配置于所述可变电阻材料层与所述第二电极的所述第四部分之间。

9.如权利要求7所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第三部分的材料与所述第四部分的材料不同，且所述第三部分的材料的电阻较所述第四部分的材料的电阻高。

10.如权利要求9所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第三部分的材料包括氮化钛、氮化钽或多晶硅，而所述第四部分的材料包括钨、铜、铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。

11.如权利要求7所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第三部分的材料与所述第四部分的材料相同，且所述第二电极的材料包括氮化钛、氮化钽、钨、铜、铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。

12.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：

第一电极，具有第一厚度及第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；

第二电极，相对于所述第一电极而配置；

存储元件，具有第一表面及第二表面，且位于具有所述第二厚度的所述第一电极与所述第二电极之间；以及

介电层，围绕所述存储元件，其中所述介电层与所述存储元件的所述第一表面成共平面，且所述介电层与所述存储元件的所述第一表面接触具有所述第二厚度的所述第一电极。

13.如权利要求12所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一电极的材料包括氮化钛、氮化钽、钨、铜、铝、铝-铜合金或铝-硅-铜合金。

14.如权利要求12所述的电阻式存储器，其特征在于，还包括导体层，且所述导体层连接所述存储元件与所述第二电极。

15.如权利要求12所述的电阻式存储器，其特征在于，所述存储元件的材料包括硫属化合物或过渡金属氧化物。

16.如权利要求12所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第二电极具有第三厚度及第四厚度，所述第三厚度大于所述第四厚度，所述存储元件位于具有所述第二厚度的所述第一电极与具有所述第四厚度的所述第二电极之间，以及所述介电层与所述存储元件的所述第二表面成共平面，且所述介电层与所述存储元件的所述第二表面接触具有所述第四厚度的所述第二电极。