[发明专利]一种新型有机场效应晶体管材料的制备方法无效
| 申请号： | 201310095148.3 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103214490A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 万晓波;邱立;赵娜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 |
| 主分类号： | C07D487/04 | 分类号： | C07D487/04;C07D495/22;H01L51/30 |
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| 地址： | 266101 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型有机场效应晶体管材料吡咯并[3,2-b]吡咯类稠环化合物的制备方法，主要步骤为：1)二氮芳辛化合物在五氯化磷的作用下生成6,12-二氯二氮芳辛；2)6,12-二氯二氮芳辛接着在锌粉和酸的作用下发生还原偶联生成目标吡咯并[3,2-b]吡咯稠环化合物。其特征在于：1)相比于已有的以C-N键构筑为关键反应的合成策略，此合成路线以C-C键构筑的还原偶联反应为关键步骤，简捷高效且普适性较广；2)反应原料和试剂廉价易得，反应操作简便，易于放大以及实现工业化生产；3)发明所得的吡咯并[3,2-b]吡咯类稠环化合物除DBPP已有报道外，其余目标化合物都是首次合成，能为有机电子学提供多种新颖且具有潜在应用价值的有机半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 有机 场效应 晶体管 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型有机场效应晶体管材料吡咯并[3,2-b]吡咯类稠环化合物Ⅸ-Ⅻ的制备方法，其具有如下的结构式：![]()
其中，这类化合物最主要的结构特征是具有吡咯并[3,2-b]吡咯的中心骨架，取代基R=Br，苯基，1-萘基，2-萘基，呋喃基，噻吩基，吡喃基或C1-12的烷基。
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