[发明专利]一种新型有机场效应晶体管材料的制备方法无效
申请号: | 201310095148.3 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN103214490A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 万晓波;邱立;赵娜 | 申请(专利权)人: | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 |
主分类号: | C07D487/04 | 分类号: | C07D487/04;C07D495/22;H01L51/30 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 有机 场效应 晶体管 材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种新型有机场效应晶体管材料吡咯并[3,2-b]吡咯类稠环化合物的制备方法。
背景技术
在各种有机半导体材料中,线型的并苯分子和寡聚噻吩是目前研究最多的两类。(参见Anthony, J. E. Chem. Rev. 2006, 106, 5028-5048. Murphy, A. R.; Fréchet, J. M. J. Chem. Rev. 2007, 107, 1066-1096.)例如线型并苯分子并五苯,场效应迁移率能达到5.5 cm2?V-1?s-1,成为有机电子学领域评价其他材料性质好坏的基准。但是并五苯和其它并有更多苯环的并苯分子由于其较高的HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)能级,在空气中稳定性较差,同时容易发生光降解和狄尔斯-阿尔德反应,并且在普通的有机溶剂中较难溶解,这些缺点限制了其实际应用。
与线型分子相比,并噻吩寡聚物具有更好的稳定性并能形成有效的共轭体系。近年来对并噻吩寡聚物的研究越来越多,( 参见Zhang, X.; C?té, A. P.; Matzger, A. J. J. Am. Chem. Soc.2005,127, 10502-10503; Xiao, K.; Liu, Y.; Qi, T.; Zhang, W.; Wang, F.; Gao, J.; Qiu, W.; Ma, Y.; Cui, G.; Chen, S.; Zhan, X.; Yu, G.; Qin, J.; Hu, W.; Zhu, D. J. Am. Chem. Soc.2005,127, 13281-13286;Okamoto, T.; Kudoh, K.; Wakamiya, A.; Yamaguchi, S. Chem. Eur. J.2007,13, 548-556)到目前为止,高达八个噻吩环的并噻吩寡聚物也已经合成出来。尽管人们在并噻吩寡聚物及衍生物的合成和器件性质研究方面已经取得了一些进展,但由于其合成过程相对来说比较繁琐,不适合大规模的生产,所以设计并合成新的有机半导体材料仍然是有机电子学材料研究中的一个重要领域。
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