[发明专利]利用静电纺丝工艺制备延性电路互联结构的方法及产品有效
| 申请号： | 201310090363.4 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103219280A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 黄永安;尹周平;汤朋朋;段永青;刘慧敏 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用静电纺丝工艺制备延性电路互联结构的方法，包括：通过静电纺丝装置向位于其喷头下方且沿着水平方向来回直线移动的硅片基板上喷射静电纺丝溶液，由此在基板上形成呈波形延伸且具备微纳米直径的图案；选取弹性衬底并执行清洁处理，然后对弹性衬底做拉伸处理；将处于拉伸状态的弹性衬底紧贴在形成有图案的硅片基板上，挤出两者接触面之间的空气后予以分离，使得硅片基板上的图案转印至弹性衬底表面；恢复弹性衬底的自然状态，由此制得所需的延性电路互联结构。本发明还公开了相应的产品及其应用。通过本发明，能够生成具备高延展性、高精度级的两级波纹结构，并尤其适用于延性电路互联结构大面积的可靠制造。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 静电 纺丝 工艺 制备 延性 电路 联结 方法 产品 | ||
【主权项】：
一种利用静电纺丝工艺制备延性电路互联结构的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：（a）通过静电纺丝装置向位于其喷头下方且沿着水平方向来回直线移动的硅片基板上喷射静电纺丝溶液，由此在硅片基板上形成呈波形延伸且具备微纳米直径的图案；（b）选取弹性衬底并执行清洁处理，然后对弹性衬底做拉伸处理；（c）将通过步骤（b）处理后处于拉伸状态的弹性衬底紧贴在形成有所述图案的硅片基板上，挤出两者接触面之间的空气后予以分离，使得硅片基板上的图案转印至弹性衬底表面；（d）恢复弹性衬底的自然状态，由此制得所需的延性电路互联结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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