[发明专利]DRAM存储器的纠错方法有效
申请号: | 201310088811.7 | 申请日: | 2013-03-19 |
公开(公告)号: | CN103187104B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 亚历山大 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 杨引雪 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供一种存储器的纠错方法解决了现有ECC编码过程中由于数据屏蔽的存在,导致不能顺利进行编码产生监督位或产生监督位需增加存储阵列面积的问题。该存储器的纠错方法包括以下步骤:1]读入外部数据,根据设定的规则产生监督位,同时产生表征位,将外部数据、表征位、监督位存入存储器;2]读出存储器内的外部数据、表征位、监督位;若表征位表征存在数据屏蔽,表明监督位无效且数据读出时不进行解码和纠错,若表征位表征不存在数据屏蔽,表明监督位有效且数据读出时用监督位进行解码和纠错。本发明提供的存储器的纠错方法可降低DRAM出错的可能性,即使对于有DM使用的系统同样可降低DRAM出错的可能性。 | ||
搜索关键词: | dram 存储器 纠错 方法 | ||
【主权项】:
一种DRAM存储器的纠错方法,其特征在于,包括以下步骤:1]读入外部数据,根据设定的规则产生监督位,同时产生表征位,将外部数据、表征位、监督位存入存储器;其中,监督位用于实现数据读入的检测和纠错,表征位用于表征是否存在数据屏蔽;若存在数据屏蔽,表明监督位无效,若不存在数据屏蔽,表明监督位有效;2]读出存储器内的外部数据、表征位、监督位;若表征位表征存在数据屏蔽,表明监督位无效且数据读出时不进行解码和纠错,若表征位表征不存在数据屏蔽,表明监督位有效且数据读出时用监督位进行解码和纠错。
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