[发明专利]DRAM存储器的纠错方法有效

专利信息
申请号: 201310088811.7 申请日: 2013-03-19
公开(公告)号: CN103187104B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 亚历山大 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 杨引雪
地址: 710055 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种存储器的纠错方法解决了现有ECC编码过程中由于数据屏蔽的存在,导致不能顺利进行编码产生监督位或产生监督位需增加存储阵列面积的问题。该存储器的纠错方法包括以下步骤:1]读入外部数据,根据设定的规则产生监督位,同时产生表征位,将外部数据、表征位、监督位存入存储器;2]读出存储器内的外部数据、表征位、监督位;若表征位表征存在数据屏蔽,表明监督位无效且数据读出时不进行解码和纠错,若表征位表征不存在数据屏蔽,表明监督位有效且数据读出时用监督位进行解码和纠错。本发明提供的存储器的纠错方法可降低DRAM出错的可能性,即使对于有DM使用的系统同样可降低DRAM出错的可能性。
搜索关键词: dram 存储器 纠错 方法
【主权项】:
一种DRAM存储器的纠错方法,其特征在于,包括以下步骤:1]读入外部数据,根据设定的规则产生监督位,同时产生表征位,将外部数据、表征位、监督位存入存储器;其中,监督位用于实现数据读入的检测和纠错,表征位用于表征是否存在数据屏蔽;若存在数据屏蔽,表明监督位无效,若不存在数据屏蔽,表明监督位有效;2]读出存储器内的外部数据、表征位、监督位;若表征位表征存在数据屏蔽,表明监督位无效且数据读出时不进行解码和纠错,若表征位表征不存在数据屏蔽,表明监督位有效且数据读出时用监督位进行解码和纠错。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司,未经西安紫光国芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310088811.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top