[发明专利]DRAM存储器的纠错方法有效
| 申请号： | 201310088811.7 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103187104B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 杨引雪 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dram 存储器 纠错 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储器的纠错方法，其特征在于，包括以下步骤：
1]读入外部数据，根据设定的规则产生监督位，同时产生表征位，将外部数据、表征位、监督位存入存储器；其中，监督位用于实现数据读入的检测和纠错，表征位用于表征是否存在数据屏蔽；若存在数据屏蔽，表明监督位无效，若不存在数据屏蔽，表明监督位有效；
2]读出存储器内的外部数据、表征位、监督位；若表征位表征存在数据屏蔽，表明监督位无效且数据读出时不进行解码和纠错，若表征位表征不存在数据屏蔽，表明监督位有效且数据读出时用监督位进行解码和纠错。
2.根据权利要求1所述的存储器的纠错方法，其特征在于：所述外部数据为64位汉明码时，监督位为7位，表征位为1位，表证位作为65位数据串中的第65位。
3.根据权利要求1或2所述的存储器的纠错方法，其特征在于：所述步骤2中如果仅存在1位数据错误时，当错误数据为表征位或监督位时，无需纠错；当错误数据不是表征位或监督位，则根据表征位判断是否存在数据屏蔽，若不存在数据屏蔽，用监督位对外部数据进行纠错，若存在数据屏蔽时，不纠错。
4.根据权利要求3所述的存储器的纠错方法，其特征在于：所述步骤2中如果存在两位及以上数据错误时，不纠错。
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