[发明专利]聚阴离子掺杂的富锂层状氧化物正极材料及其制备和应用有效

专利信息
申请号: 201310087241.X 申请日: 2013-03-19
公开(公告)号: CN103199229A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 高学平;张洪周;李国然;叶世海 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: H01M4/48 分类号: H01M4/48;H01M4/62
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300071 天津市南开区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种聚阴离子掺杂的富锂层状氧化物Li(Li(1-2x)/3MxMn(2-x)/3)O2-y(XOm)y(X=P、S、As、Mo、V、Si、B、W,0<y≤0.2)正极材料。在制备Li(Li(1-2x)/3MxMn(2-x)/3)O2-y(XOm)y材料的过程中,按照化学计量比将含有聚阴离子的盐与其他盐溶液共溶,加入络合剂并用氨水调节pH=9后,将溶液蒸干或者喷雾干燥,再将得到的材料在480℃下预烧3小时得到前驱体材料。然后将前驱体材料在马弗炉中850℃高温烧结10小时,即可得到聚阴离子掺杂的富锂层状氧化物材料。本发明所制备的电极材料具有首次充放电效率高,比容量高、循环性好、制备过程简单、重现性好等优点,且制备过程简易、重现性好。
搜索关键词: 聚阴离子 掺杂 层状 氧化物 正极 材料 及其 制备 应用
【主权项】:
一种聚阴离子掺杂富锂层状氧化物正极材料,其特征在于它的分子式为:Li(Li(1‑2x)/3MxMn(2‑x)/3)O2‑y(XOm)y,其中X=P、S、As、Mo、V、Si、B、W、Al,m=2~4,n=1~4;M为Ni、Co中至少一种,0<x≤0.33,0<y≤0.2。
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