[发明专利]金属氧化物场效应管和双极性晶体管的混合共源共基电路无效
| 申请号： | 201310086822.1 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103199851A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李奚鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州朗宽电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/082 | 分类号： | H03K19/082;H03K19/094 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州市常熟市东南经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种涉及模拟集成电路的包含金属氧化物场效应管和双极性晶体管的混合共源共基电路结构。包括2对晶体管，第一对晶体管是金属氧化物场效应管，其栅极作为信号的输入端，源极相连后接偏置电流源的上端。信号从其漏极输入到第二对晶体管，也就是双极性晶体管的发射极上，双极性晶体管的基极接一固定偏置电压，使其始终工作在放大状态。输出信号接双极性晶体管的集电极，同时输出端也与两个电阻负载相连，电阻负载另外一端连电源电压。首先共源共基电路将输入电压信号转换为电流信号，然后流过两个电阻负载变为电压信号输出。本发明的电路充分利用金属氧化物场效应管和双极性晶体管各自的优缺点，最好的发挥他们的性能，可以在不增加功耗的情况下，使输出波形的边沿特性达到很好的效果，相应的达到了更好的输出眼图。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 场效应 极性 晶体管 混合 共源共基 电路 | ||
【主权项】：
一种涉及模拟集成电路的包含金属氧化物场效应管和双极性晶体管的混合共源共基电路结构。
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