[发明专利]金属氧化物场效应管和双极性晶体管的混合共源共基电路无效
| 申请号： | 201310086822.1 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103199851A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李奚鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州朗宽电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/082 | 分类号： | H03K19/082;H03K19/094 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州市常熟市东南经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 场效应 极性 晶体管 混合 共源共基 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种涉及模拟集成电路的包含金属氧化物场效应管和双极性晶体管的混合共源共基电路结构。
2.包括两对晶体管，一对金属氧化物场效应管和一对双极性晶体管。
3. 第一对晶体管（M1和M2）是金属氧化物场效应管，第一对晶体管（M1和M2）栅极作为信号的输入端Input，第一对晶体管（M1和M2）源极相连后接偏置电流源Itail的上端。
4.信号从第一对晶体管（M1和M2）漏极输入到第二对晶体管（Q1和Q2），也就是双极性晶体管（Q1和Q2）的发射极上，第二对晶体管（Q1和Q2）的基极接一固定偏置电压Vb，使第二对晶体管（Q1和Q2）始终工作在放大状态。
5.输出信号接第二对晶体管（Q1和Q2）双极性晶体管的集电极，同时输出端Output也与两个电阻负载(R1和R2)相连，电阻负载(R1和R2)另外一端连电源电压VDD。
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