[发明专利]双端口SRAM连接结构有效
| 申请号： | 201310083983.5 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103915112B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元。SRAM单元包括用于数据存储的交叉耦合的第一反相器和第二反相器，每个反相器都包括至少一个上拉器件和至少两个下拉器件；至少四个传输门器件，被配置为具有两个交叉耦合的反相器；至少两个端口，与用于读取和写入的至少四个传输门器件耦合；第一接触部件，与第一反相器的两个第一下拉器件(PD‑11和PD‑12)接触；以及第二接触部件，与第二反相器的两个第二下拉器件(PD‑21和PD‑22)接触。本发明还提供了双端口SRAM连接结构。 | ||
| 搜索关键词： | 端口 sram 连接 结构 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器SRAM单元，包括：第一反相器和第二反相器，被交叉耦合来用于数据存储，每个反相器都包括至少一个上拉器件和至少两个下拉器件；至少四个传输门器件，被配置成具有两个交叉耦合的反相器；至少两个端口，与所述至少四个传输门器件耦合来用于读取和写入；第一接触部件，与所述第一反相器的两个第一下拉器件PD‑11和PD‑12的栅极均电接触；以及第二接触部件，与所述第二反相器的两个第二下拉器件PD‑21和PD‑22的栅极均电接触，其中，所述PD‑11包括第一栅极；所述PD‑12包括第二栅极；所述PD‑21包括第三栅极；所述PD‑22包括第四栅极；所述第一接触部件直接接合在所述第一栅极和所述第二栅极上，所述第一栅极的顶面和所述第二栅极的顶面与所述第一接触部件的底面直接接触；以及所述第二接触部件直接接合在所述第三栅极和所述第四栅极上，所述第三栅极的顶面和所述第四栅极的顶面与所述第二接触部件的底面直接接触。
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