[发明专利]一种Σ型硅沟槽的制造方法

摘要

本发明涉及CMOS半导体器件制造工艺，更确切的说，涉及一种Σ型硅沟槽的制造方法，包括以下步骤：步骤S1、于所述半导体衬底内刻蚀形成多个U型沟槽，所述U型沟槽位于所述多晶硅栅极下表面的周围；步骤S2、以倾斜角度注入高剂量磷离子，于所述U型沟槽的下表面及侧面形成Σ型离子掺杂区；步骤S3、使用氢氟酸刻蚀去除所述Σ型离子掺杂区，于所述半导体衬底内形成Σ型沟槽。本发明通过在硅区内注入高剂量离子，然后利用氢氟酸对掺杂磷离子的硅区进行高选择比刻蚀，提高了刻蚀速率，很好的保护了半导体衬底，同时生产成本也较低。

主权项

一种Σ型硅沟槽的制造方法，应用于具有多晶硅栅极的半导体结构上，所述半导体结构包括多晶硅栅极和半导体衬底，所述多晶硅栅极部分覆盖所述半导体衬底的上表面，且所述多晶硅栅极的表面覆盖有一阻挡层，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、部分刻蚀所述半导体衬底，于所述半导体衬底内形成U型沟槽；步骤S2、以倾斜角度进行离子注入工艺，于所述U型沟槽的底部及其侧壁的半导体衬底中形成Σ型离子掺杂区；步骤S3、刻蚀所述Σ型离子掺杂区，形成Σ型沟槽。