[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310079085.2 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103681854A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 清水达雄;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体器件包括结构体、绝缘膜和控制电极。结构体具有第一表面且包括：包括第一导电类型的碳化硅的第一半导体区、包括第二导电类型的碳化硅的第二半导体区和包括第一导电类型的碳化硅的第三半导体区。结构体具有在沿第一表面的第一方向上第一半导体区、第二半导体区和第三半导体区以此顺序设置的部分。绝缘膜设置在结构体的第一表面上。控制电极设置在绝缘膜上。结构体具有设置在第二半导体区与第一表面之间的埋入区。埋入区掺杂有V族元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：结构体，具有第一表面，所述结构体包括：包括第一导电类型的碳化硅的第一半导体区、包括第二导电类型的碳化硅的第二半导体区和包括所述第一导电类型的碳化硅的第三半导体区，所述结构体具有在沿所述第一表面的第一方向上、按照从所述第一半导体区朝向所述第三半导体区的顺序设置有所述第一半导体区、所述第二半导体区和所述第三半导体区的部分；绝缘膜，设置在所述结构体的所述第一表面上；以及控制电极，设置在所述绝缘膜上，所述结构体具有设置在所述第二半导体区与所述第一表面之间的埋入区，所述埋入区掺杂有V族元素。
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