[发明专利]一种提高高压栅氧可靠性的方法有效
| 申请号： | 201310079068.9 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104051246B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 邹陆军;李绍彬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高高压栅氧可靠性的方法，所述方法至少包括首先，在提供的半导体衬底上依次制备形成隧穿氧化物层、浮栅材料层及堆叠结构；其次，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述浮栅材料层和堆叠结构，刻蚀后会有残留物滞留在所述隧穿氧化物层上；然后，在预设温度下，对得到的结构热烘预定的时间，排出干法刻蚀工艺留下的所述残留物；接着，利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述隧穿氧化物层直至暴露出所述半导体衬底的表面；最后，在所述半导体衬底的表面生长一高压栅氧层。本发明提供的方法是在干法刻蚀工艺之后增加一热烘工艺，保证停留在半导体衬底表面的有害物质以气体的方式挥发而排出，减少干法刻蚀给高压栅氧层带来的失效问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 高压 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高高压栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述方法至少包括如下步骤：1）在提供的半导体衬底上依次制备形成隧穿氧化物层、浮栅材料层及堆叠结构；2）利用干法刻蚀工艺刻蚀所述浮栅材料层和堆叠结构，刻蚀后会有残留物滞留在所述隧穿氧化物层上；3）在预设温度下对步骤2）得到的结构热烘预定的时间，排出干法刻蚀工艺留下的所述残留物；4）利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述隧穿氧化物层直至暴露出所述半导体衬底的表面；5）在所述半导体衬底的表面生长一高压栅氧层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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