[发明专利]氮化镓超结器件无效
| 申请号： | 201310077499.1 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103311292A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | S·W·比德尔;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨达那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化镓超结器件。氮化镓高电子迁移率晶体管结构允许高击穿电压并可用于大功率和/或高频切换。肖特基二极管便于高电压应用并提供快速切换。由氮化镓中的p/n结形成的超结便于高电子迁移率晶体管结构、肖特基二极管以及由晶体管结构的漏极至栅极连接形成的栅控二极管的操作。抑制了高电子迁移率晶体管结构的栅极与漏极之间的击穿、穿过衬底的击穿、或者这两种击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓超结 器件 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管结构，包括：掺杂的氮化镓超结层，其包括多个p/n结；衬底层；阻挡层，其邻接所述掺杂的氮化镓超结层，所述掺杂的氮化镓超结层被设置在所述衬底层与所述阻挡层之间；源电极；漏电极；栅电极；以及钝化层，其覆盖所述阻挡层，其中，在对所述栅电极施加电压时，通过所述掺杂的氮化镓超结层建立的电场垂直于在所述栅电极与所述漏电极之间建立的电场。
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