[发明专利]氮化镓超结器件

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管结构，包括：

掺杂的氮化镓超结层，其包括多个p/n结；

衬底层；

阻挡层，其邻接所述掺杂的氮化镓超结层，所述掺杂的氮化镓超结层被设置在所述衬底层与所述阻挡层之间；

源电极；

漏电极；

栅电极；以及

钝化层，其覆盖所述阻挡层，

其中，在对所述栅电极施加电压时，通过所述掺杂的氮化镓超结层建立的电场垂直于在所述栅电极与所述漏电极之间建立的电场。

2.根据权利要求1的高电子迁移率晶体管结构，其中，所述阻挡层由氮化铝镓构成。

3.根据权利要求2的高电子迁移率晶体管结构，还包括位于所述衬底层与所述掺杂的氮化镓超结层之间的由氮化铝构成的缓冲层。

4.根据权利要求2的高电子迁移率晶体管结构，还包括位于所述衬底层与所述掺杂的氮化镓超结层之间的第二氮化铝镓层，所述第二氮化铝镓层邻接所述掺杂的氮化镓超结层。

5.根据权利要求4的高电子迁移率晶体管结构，还包括位于所述衬底层与所述掺杂的氮化镓超结层之间的由氮化铝构成的缓冲层。

6.根据权利要求5的高电子迁移率晶体管结构，其中，所述衬底由硅（111）构成。

7.根据权利要求1的高电子迁移率晶体管结构，其中，所述衬底由硅（111）构成。

8.根据权利要求1的高电子迁移率晶体管结构，还包括位于所述衬底层与所述氮化镓超结层之间的绝缘层。

9.根据权利要求8的高电子迁移率晶体管结构，其中，所述绝缘层为掩埋氧化物层。

10.根据权利要求8的高电子迁移率晶体管结构，其中，所述衬底由硅（111）构成，还包括位于所述衬底层与所述掺杂的氮化镓超结层之间的氮化铝缓冲层。

11.根据权利要求1的高电子迁移率晶体管结构，其中，所述掺杂的氮化镓超结层的厚度小于10微米，所述掺杂的氮化镓超结层的整体厚度包括超结结构。

12.一种高电子迁移率晶体管结构，包括：

掺杂的氮化镓超结层，其具有小于10微米的厚度并且包括多个p/n结，所述掺杂的氮化镓超结层的整体厚度包括超结结构；

硅衬底层；

氮化铝镓阻挡层，其邻接所述掺杂的氮化镓超结层，所述掺杂的氮化镓超结层被设置在所述衬底层与所述阻挡层之间；

源电极；

漏电极；以及

栅电极，所述掺杂的氮化镓超结层能够用于抑制穿过所述硅衬底层的击穿以及所述栅电极与所述漏电极之间的击穿。

13.根据权利要求12的高电子迁移率晶体管结构，还包括位于所述衬底层与所述掺杂的氮化镓超结层之间的绝缘层。

14.根据权利要求13的高电子迁移率晶体管结构，其中，所述绝缘层为掩埋氧化物层。

15.根据权利要求13的高电子迁移率晶体管结构，还包括位于所述衬底层与所述掺杂的氮化镓超结层之间的缓冲层。

16.根据权利要求15的高电子迁移率晶体管结构，其中，所述缓冲层由氮化铝构成。

17.根据权利要求12的高电子迁移率晶体管结构，还包括邻接所述掺杂的氮化镓超结层的第二氮化铝镓阻挡层。

18.根据权利要求12的高电子迁移率晶体管结构，其中，所述衬底为绝缘体上硅衬底。

19.根据权利要求12的高电子迁移率晶体管结构，还包括位于所述衬底层与所述掺杂的氮化镓超结层之间的缓冲层，所述衬底层由硅（111）构成。

20.根据权利要求12的高电子迁移率晶体管结构，其中，所述掺杂的氮化镓超结层、所述阻挡层、所述衬底层以及所述栅电极、漏电极和源电极能够用于在所述阻挡层附近在所述掺杂的氮化镓超结层内形成二维导电电子气沟道，并使得通过所述掺杂的氮化镓超结层建立的电场垂直于在所述栅电极与所述漏电极之间建立的电场且还垂直于在所述漏电极与所述衬底层之间建立的电场。