[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310069587.7 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104037084B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅介质薄膜，所述栅介质薄膜表面具有栅极薄膜，所述栅极薄膜表面具有掩膜层，所述掩膜层覆盖部分栅极薄膜表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极薄膜，直至暴露出栅介质薄膜为止，形成栅极层；在所述栅极层的侧壁表面形成覆盖层；以所述覆盖层和掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅介质薄膜，直至暴露出半导体衬底为止，形成栅介质层，所述栅介质层的宽度大于栅极层的宽度。由所形成的半导体结构形成的器件性能改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅介质薄膜，在所述栅介质薄膜表面形成保护薄膜，所述保护薄膜表面形成栅极薄膜，所述栅极薄膜表面具有掩膜层，所述掩膜层覆盖部分栅极薄膜表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极薄膜，直至暴露出保护薄膜为止，形成栅极层；在所述栅极层的侧壁表面形成覆盖层；以所述覆盖层和掩膜层为掩膜，刻蚀所述保护薄膜和栅介质薄膜，直至暴露出半导体衬底为止，形成保护层和栅介质层，所述栅介质层的宽度大于栅极层的宽度；在形成保护层和栅介质层之后，自所述保护层的侧壁表面向内部减薄部分厚度；在减薄部分厚度的保护层之后，在所述栅介质层、保护层、栅极层和掩膜层两侧的半导体衬底表面形成侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
