[发明专利]可变电阻存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201310069115.1 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103680616B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 尹淳赫 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其操作方法，所述操作方法包括以下步骤：预读取步骤，所述预读取步骤包括以下步骤：利用第一参考电压读取第一参考单元，利用第二参考电压读取第二参考单元，以及基于第一参考电压和第二参考电压来设定第三参考电压；以及主读取步骤，所述主读取步骤利用第三参考电压来读取选中的存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种可变电阻存储器件的操作方法，包括以下步骤：预读取步骤，所述预读取步骤包括以下步骤：利用第一参考电压读取第一参考单元；利用第二参考电压读取第二参考单元；以及基于所述第一参考电压和所述第二参考电压来设定第三参考电压；以及主读取步骤，所述主读取步骤利用所述第三参考电压来读取选中的存储器单元，其中，所述预读取步骤包括：改变所述第一参考电压直到用于所述第一参考单元的读取操作通过的步骤，以及改变所述第二参考电压直到用于所述第二参考单元的读取操作通过的步骤,其中，改变所述第一参考电压的步骤包括：当用于所述第一参考单元的读取操作为失败时增加所述第一参考电压的步骤，以及再次执行利用增加的第一参考电压来读取所述第一参考单元的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310069115.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：密闭式多极断路器
- 下一篇：用于存储系统的磨损管理设备和方法
