[发明专利]可变电阻存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种可变电阻存储器件的操作方法，包括以下步骤：

预读取步骤，所述预读取步骤包括以下步骤：

利用第一参考电压读取第一参考单元；

利用第二参考电压读取第二参考单元；以及

基于所述第一参考电压和所述第二参考电压来设定第三参考电压；以及

主读取步骤，所述主读取步骤利用所述第三参考电压来读取选中的存储器单元，

其中，所述预读取步骤包括：改变所述第一参考电压直到用于所述第一参考单元的读取操作通过的步骤，以及改变所述第二参考电压直到用于所述第二参考单元的读取操作通过的步骤,

其中，改变所述第一参考电压的步骤包括：当用于所述第一参考单元的读取操作为失败时增加所述第一参考电压的步骤，以及再次执行利用增加的第一参考电压来读取所述第一参考单元的步骤。

2.如权利要求1所述的操作方法，其中，所述第一参考单元包括设定参考单元。

3.如权利要求1所述的操作方法，其中，重复进行增加所述第一参考电压的步骤和读取所述第一参考单元的步骤，直到所述读取操作通过。

4.如权利要求1所述的操作方法，其中，改变所述第二参考电压的步骤包括：当用于所述第二参考单元的读取操作为失败时减小所述第二参考电压的步骤，以及

再次执行利用减小的第二参考电压来读取所述第二参考单元的步骤。

5.如权利要求4所述的操作方法，其中，所述第二参考单元包括复位参考单元。

6.如权利要求4所述的操作方法，其中，重复进行减小所述第二参考电压的步骤和读取所述第二参考单元的步骤，直到所述读取操作通过。

7.如权利要求1所述的操作方法，其中，设定所述第三参考电压的步骤包括以下步骤：

计算当用于所述第一参考单元的读取操作通过时使用的所述第一参考电压与当用于所述第二参考单元的读取操作通过时使用的所述第二参考电压的平均值；以及

将计算出的平均值设定为所述第三参考电压。

8.如权利要求1所述的操作方法，其中，所述主读取步骤包括以下步骤：感测所述第三参考电压与感测节点的根据所述选中的存储器单元的电阻状态而形成的电压之间的差。

9.如权利要求1所述的操作方法，还包括以下步骤：将所述第一参考单元编程为第一状态，并且将所述第二参考单元编程为具有比所述第一状态更高的电阻的第二状态。

10.如权利要求9所述的操作方法，其中，当对所述选中的存储器单元编程时，大体同时地将所述第一参考单元和所述第二参考单元编程。

11.如权利要求1所述的操作方法，其中，并行地执行利用所述第一参考电压读取所述第一参考单元的步骤和利用所述第二参考电压读取所述第二参考单元的步骤。